Компания Samsung Electronics поделилась своим инвестиционным планом на ближайшие 3 года, который предусматривает крупные инвестиции в развитие полупроводникового бизнеса — 42,8 млрд. долларов. Инвестиционный план рассчитан на 3 года.
Из них 17 млрд. пойдут на строительство фабрики по производству чипов в США. Кроме того, часть средств направят на строительство передовых фабрик в Пхёнтхэке и расширение штата специалистов, чтобы усовершенствовать 3-нм техпроцесс. Отметим, что главный конкурент Samsung в сфере литографии TSMC ранее утвердил производство 2-нм чипов.
Еще одно направление инвестиционной программы — сохранить лидирующие позиции на рынке микросхем памяти. Micron Technology недавно объявила о выпуске первой в мире 10-нм DRAM четвертого поколения, а SK Hynix завершила разработку 176-слойной флеш-памяти NAND. Samsung Electronics планирует в текущем полугодии начать массовое производство 14-нм микросхем DRAM и 200-слойных V-NAND.
На фоне этой новости цена акций Samsung Electronics выросла более чем на 3%, что впервые с 25 февраля. Котировки акций других дочерних компаний Samsung Group также выросли, включая Samsung C&T (1,94%) и Samsung Life Insurance (2,5%).
