Понедельник, 18 октября, 2021
Google search engine
ДомойHardwareSamsung представил модуль оперативной памяти DDR5 объемом 512 Gb

Samsung представил модуль оперативной памяти DDR5 объемом 512 Gb

Компания Samsung Electronics объявила о разработке первого в мире модуля оперативной памяти DDR5 объемом 512 Gb, с использованием технологии High-K Metal Gate (HKMG). Новая память более чем вдвое быстрее DDR4, потребляя при этом меньше энергии.

Технология High-K Metal Gate (HKMG) представляет собой способ производства полупроводников с использованием диэлектриков, выполненных из материала, диэлектрическая проницаемость которого больше, чем у диоксида кремния. Она используется для производства чипов GDDR6 с 2018 года.

На одном модуле разместились восемь слоев микросхем DRAM объемом 16 Gb, объединенных посредством технологии объемной компоновки с межслойными соединениями (Through-Silicon Vias, TSV).

Samsung отмечает, что скорость передачи данных новой памяти достигает 7200 Мбит/с, что вдвое больше, чем у DDR4. Кроме того, она потребляет на 13% меньше энергии.

Новая память ориентирована на суперкомпьютеры для решения задач, связанных с искусственным интеллектом и машинным обучением.

НОВОСТИ ПО ТЕМЕ